Toza Sîlîkon Karbîda Reş 98% Sic Wêneya Taybetmendî ya Sîlîkon Karbîda Reş

Toza Karbîda Sîlîkonê ya Reş %98 Sic Karbîda Sîlîkonê ya Reş

Mal:Sic

Tîrbûna girseyî:1.45-1.56g/cm3

Tîrbûna tûrê:3.12 g/cm3

Mezinayî:F12-F220

Reng:Reş

Cins:Qirêjên granulî

Naveroka SiC:>98%

Bikaranîn:Polîşkirin. Hêrandin û Qûmrijandin

Sîstema krîstal:Şeşgoşeyî

NIHA TÊKILÎ DAYNIN Dakêşin wek PDF

Hûrguliyên Berhemê

Serlêdan

Karbîda Sîlîkonê ya Reş

Ji ber kêmbûna moîsanîta xwezayî, piraniya karbîda silîkonê sentetîk e. Ew wekî abrazîv tê bikar anîn, û di demên dawî de wekî nîvconductor û simulantek elmasê ya bi kalîteya keviran tê bikar anîn. Pêvajoya çêkirinê ya herî hêsan ew e ku qûma silîka û karbon di firneyek berxwedana elektrîkê ya grafît a Acheson de di germahiyek bilind de, di navbera 1,600 °C (2,910 °F) û 2,500 °C (4,530 °F) de were tevlihev kirin. Perçeyên SiO2 yên zirav di materyalên nebatan de (mînak qalikên birinc) dikarin bi germkirina karbona zêde ji materyalê organîk veguherin SiC. Dûmana silîka, ku berhemek alîgir a hilberîna metala silîkon û alavên ferrosilicon e, her weha dikare bi germkirina bi grafîtê re di 1,500 °C (2,730 °F) de veguhere SiC.

Mezinahiya Karbîda Sîlîkonê ya Reş Berdest e

F12-F1200, P12-P2500

0-1mm, 1-3mm, 6/10, 10/18, 200mesh, 325mesh

Taybetmendiyên din ên taybetî dikarin li ser daxwazê werin peyda kirin.

Pêkhateya Kîmyewî ya Karbîda Sîlîkonê ya Reş (%)

Qûm	Sic	FC	Fe2O3
F12-F90	≥98.50	<0.20	≤0.60
F100-F150	≥98.00	<0.30	≤0.80
F180-F220	≥97.00	<0.30	≤1.20
F230-F400	≥96.00	<0.40	≤1.20
F500-F800	≥95.00	<0.40	≤1.20
F1000-F1200	≥93.00	<0.50	≤1.20
P12-P90	≥98.50	<0.20	≤0.60
P100-P150	≥98.00	<0.30	≤0.80
P180-P220	≥97.00	<0.30	≤1.20
P230-P500	≥96.00	<0.40	≤1.20
P600-P1500	≥95.00	<0.40	≤1.20
P2000-P2500	≥93.00	<0.50	≤1.20

Indeksa Fîzîkî ya Karbîda Sîlîkonê ya Reş

Grît	Tîrbûna Girseyî (g/cm3)	Densiteya Bilind (g/cm3)	Grît	Tîrbûna Girseyî (g/cm3)	Densiteya Bilind (g/cm3)
F16 ~ F24	1.42~1.50	≥1.50	F100	1.36~1.45	≥1.45
F30 ~ F40	1.42~1.50	≥1.50	F120	1.34~1.43	≥1.43
F46 ~ F54	1.43~1.51	≥1.51	F150	1.32~1.41	≥1.41
F60 ~ F70	1.40~1.48	≥1.48	F180	1.31~1.40	≥1.40
F80	1.38~1.46	≥1.46	F220	1.31~1.40	≥1.40
F90	1.38~1.45	≥1.45

Pêşî: Toza Sîlîkon Karbîdê ya Kesk ji bo Çerxa Hêrandinê ya Sîlîkon Karbîdê ya Girêdayî

Piştî: Nîşankirina Rêyan, Teqîna Qûmê ya Refleksîf, Morîkên Cama Zelal

Hûrkirin û Cilkirin: rakirina materyalê, nermkirina rûberan, û bidestxistina qedandinên rûberê yên xwestî
Abrazîvên pêçayî: kaxizê şmirgê, kemerên abrazîv, û dîsk
Pîşesaziya Nîvconductor: Ew ji bo perçekirin û şikandina îngotên silîkonê û bi destxistina birînên rast bi windabûna materyalê ya herî kêm û zirara rûyê tê bikar anîn.
Refractories û Seramîk: hilberîna xaçerêyan, mobîlyayên firinê, û pêkhateyên din ên germahiya bilind.
Serlêdanên Metalurjîk
Birrîna Têl
Teqîna Abrazîv: paqijkirina rûberê, gravurkirin û amadekirin di pîşesaziyên wekî avakirin, çêkirina metal û otomatê de.
Paqijkirina Elmasan: şekildan, hûrkirin û cilkirina rûyên elmasan ji bo baştirkirina geşbûn û taybetmendiyên wan ên optîkî.
Bikaranînên Çêkeriyê: paqijkirina qûmê, amadekirina rûberê, û paqijkirina qalibên metalî.